深圳PCB培训包括哪些

在设计中，从PCB板的装配角度来看，要考虑以下参数:1)孔的直径要根据大材料条件(MMC)和小材料条件(LMC)的情况来决定。一个无支撑元器件的孔的直径应当这样选取，即从孔的MMC中减去引脚的MMC，所得的差值在0.15-0.5mm之间。而且对于带状引脚，引脚的标称对角线和无支撑孔的内径差将不超过0.5mm，并且不少于0.15mm。2)合理放置较小元器件，以使其不会被较大的元器件遮盖。3)阻焊的厚度应不大于0.05mm。4)丝网印制标识不能和任何焊盘相交。5)电路板的上半部应该与下半部一样，以达到结构对称。因为不对称的电路板可能会变弯曲。元器件的排列要便于调试和维修，亦即小元件周围不能放置大元件、需调试的元、器件周围要有足够的空间。深圳PCB培训包括哪些

3、地线设计不合理的地线设计会使印制电路板产生干扰，达不到设计指标，甚至无法工作。地线是电路中电位的参考点，又是电流公共通道。地电位理论上是零电位，但实际上由于导线阻抗的存在，地线各处电位不都是零。因为地线只要有一定长度就不是一个处处为零的等电位点，地线不仅是必不可少的电路公共通道，又是产生干扰的一个渠道。一点接地是消除地线干扰的基本原则。所有电路、设备的地线都必须接到统一的接地点上，以该点作为电路、设备的零电位参考点(面)。一点接地分公用地线串联一点接地和单独地线并联一点接地。深圳PCB培训包括哪些在保证电气性能的前提下，元件应放置在栅格上且相互平行或垂直排列，以求整齐、美观。

更密集的PCB、更高的总线速度以及模拟RF电路等等对测试都提出了前所未有的挑战，这种环境下的功能测试需要认真的设计、深思熟虑的测试方法和适当的工具才能提供可信的测试结果。在同夹具供应商打交道时，要记住这些问题，同时还要想到产品将在何处制造，这是一个很多测试工程师会忽略的地方。例如我们假定测试工程师身在美国的加利福尼亚，而产品制造地却在泰国。测试工程师会认为产品需要昂贵的自动化夹具，因为在加州厂房价格高，要求测试仪尽量少，而且还要用自动化夹具以减少雇用高技术高工资的操作工。但在泰国，这两个问题都不存在，让人工来解决这些问题更加便宜，因为这里的劳动力成本很低，地价也很便宜，大厂房不是一个问题。因此有时候设备在有的国家可能不一定受欢迎。

FPGA管换注意事项，首先和客户确认是否可以交换以及交换原则，其次，在FPGA交换管脚期间，不允许有原理图的更改，如果原理图要更改，在导入更改之后再调整管脚，管换的一般原则如下，在调整时应严格意遵守：（1）基本原则：管脚不能调整，I/O管脚、Input管脚或者Output管脚可调整。（2）FPGA的同一BANK的供电电压相同，如果两个Bank电压不同，则I/O管脚不能交换；如果电压相同，应优先考虑在同一BANK内交换，其次在BANK间交换。（3）对于全局时钟管脚，只能在全局时钟管脚间进行调整，并与客户进行确认。（4）差分信号对要关联起来成对调整，成对调整，不能单根调整，即N和N调整，P和P调整。（5）在管脚调整以后，必须进行检查，查看交换的内容是否满足设计要求。（6）与调整管脚之前的PCB文件对比，生产交换管脚对比的表格给客户确认和修改原理图文件。元件引脚尽量短，去耦电容引脚尽量短，去耦电容使用无引线的贴片电容。

如果设计的电路系统中包含FPGA器件，则在绘制原理图前必需使用Quartus II软件对管脚分配进行验证。(FPGA中某些特殊的管脚是不能用作普通IO的)。2、4层板从上到下依次为：信号平面层、地、电源、信号平面层;6层板从上到下依次为：信号平面层、地、信号内电层、信号内电层、电源、信号平面层。6层以上板(优点是：防干扰辐射)，优先选择内电层走线，走不开选择平面层，禁止从地或电源层走线(原因：会分割电源层，产生寄生效应)。3、多电源系统的布线：如FPGA+DSP系统做6层板，一般至少会有3.3V+1.2V+1.8V+5V。3.3V一般是主电源，直接铺电源层，通过过孔很容易布通全局电源网络；时钟线垂直于I/O线比平行I/O线干扰小，时钟元件引脚需远离I/O电缆。武汉打造PCB培训报价

相同结构电路部分，尽可能采用“对称式”标准布局；深圳PCB培训包括哪些

存储模块介绍：存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的详细参数如下：DDR采用TSSOP封装技术，而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，缺点是传导效果差，容易受干扰，散热不理想，而FBGA内存颗粒精致小巧，体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，有效地缩短信号传输距离，在抗干扰、散热等方面更有优势，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量，封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高，从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低；DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺，而DDR2采用了0.09微米制造工艺，DDR3则采用了全新65nm制造工艺，而DDR4使用20nm以下的工艺来制造，从DDR～DDR4的具体参数如下表所示。深圳PCB培训包括哪些